据报导，美国存储器大厂美光科技(Micron Technology Inc.)及全球第3大半导体设备商东京威力科创(Tokyo Electron)等20家以上日美半导体相关企业将携手研发可大幅提高智能手机等移动设备性能的次世代存储器「磁电阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)」量产技术，目标为在2016年度确立技术、之后美光并计划于2018年透过子公司尔必达(Elpida)的广岛工厂进行量产。

报导指出，MRAM为一种低耗电力且写入速度极快的非挥发性存储器，且即便切断电源资料也不会消失；和现行主流存储器「DRAM」相比，MRAM的存储容量及写入速度可大幅提高至10倍，且电子产品的耗电力可缩减至2/3，即在充饱一次电的情况下，可将智能手机的使用时间自现行的数十小时大幅延长至数百小时。

据报导，参与上述研发企划的企业还包含全球矽晶圆龙头信越化学(Shin-Etsu Chemical)、全球微控制器(MCU)龙头瑞萨电子(Renesas Electronics)和日立(Hitachi)等，而各家企业将派遣研究人员至日本东北大学(由该大学教授远藤哲郎主导)，并将于明年初(2014年初)正式着手进行研发，且该日美研发团队也将积极呼吁日本国内外半导体相关企业参与该项研发计划，以早期确立MRAM的基础技术。

在MRAM的研发上，南韩三星电子(Samsung Electronics)已着手进行，而东芝(Toshiba)则携手SK Hynix进行共同研发。

据报导指出，东北大学预估，2020年MRAM全球需求可望达7兆日圆，且随着存储器需求持续自DRAM转移至MRAM，预估包含智能手机等电子机器、制造设备及材料等相关领域计算，整体MRAM相关经济效应将达100兆日圆。

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