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发布于：2013-12-07 文字： 【大】 【中】 【小】
引述市调机构资料，指出3D NAND市占率将从2013年的0.4%、2014年的5.2%，一路狂飙至2016年的49.8%及2017年的65.2%。这表示在商用化的3年后，将取代近半数的现有产品，并且在2017年成为市场主流。根据市调机构IHS iSuppli的预测，从现在到2017年，3D NAND市场将出现爆炸性的成长。
半导体业者不断致力于降低生产成本，主要努力方向为投入更先进的制程，提高每片晶圆的产出。一般而言，从20纳米到18纳米制程，每颗晶体管的生产成本约减少30%。不过投入更先进的制程，就得投资许多研发与设备成本。
在另一方面，不断研发更先进的技术降低生产成本，也具有与投入先进制程一样的效果。目前3D V-NAND以高容量产品为主，对NAND Flash业者而言，提供更高容量与便宜的产品，成为一条别无选择的路，预计在未来的几年间，多数业者皆得进入3D制程。
韩国业界约从数年前，正式投入3D结构的NAND Flash研发，三星算是3D V-NAND市场的先锋，8月宣布量产3D V-NAND后，也推出企业用1TB固态硬盘(SSD)。在三星稍早举行的分析师日中，三星相关人士相当有自信地表示，3D V-NAND的市占目标是80%，预计到了2017年，将有105%以上的成长。
其它半导体业者东芝、美光、SK海力士(SK Hynix)等也在研发相关的3D NAND产品，不过量产时间均落在2015年，其它业者与三星间的技术落差，恐怕仍有1年以上，3D V-NAND多层化堆叠结构相当困难，研发和量产都要时间，在未来几年内，各芯片厂会依然以纳米制程技术为主，提高NAND Flash产能。
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